RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM

Wenn Sie sich leidenschaftlich mit IT und Elektronik beschäftigen, mit der Technologie auf dem neuesten Stand sein wollen und nicht einmal die winzigsten Einzelheiten auslassen, kaufen Sie RAM Speicher PNY MN4GSD42666 4 GB DDR4 2666 Mhz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 SODIMM.

• Technologie: DDR4
• Spannung: 1,2 V
• Art: Speicher (RAM)
• Latenzzeit: CL19
• RAM Speicher: 4 GB RAM
• Kompatibel: Laptop
• Geschwindigkeit: 2666 MHz
• Kapazität:
  • 40 g
  • 4 GB
• Speicher Typ: DDR4

General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com